SiC MOSFET

碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗，提升系统效率，更适合应用于高频电路。在新能源汽车电机控制器、车载电源、太阳能逆变器、充电桩、UPS、PFC 电源等领域有广泛应用。而烧结银由于其超高的导电、导热性能，低温无压烧结、高温服役，连接强度高、抗疲劳性能好，成分不含胶、无有机残留物等高性价比特性在封装SiC MOSFET中的应用保证SiC芯片可靠性、充分发挥性能的关键。烧结  曲线如下：

烧结前X-ray检查

  烧结后孔洞率≤1%

  剪切强度